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產(chǎn)品詳情
簡單介紹：
主要特長
搭載本公司開創(chuàng)的鏡面光學(xué)系統(tǒng)爆光燈房（LAMP HOUSE）。從而實(shí)現(xiàn)了照射面內(nèi)的均勻性以及高照度。
采用本公司開創(chuàng)的同軸對位方式和高速圖像處理技術(shù), 從而實(shí)現(xiàn)了高精度對位。還支持IR方式和背面方式。
通過本公司開創(chuàng)的光學(xué)式間隙傳感器，可在非接觸狀態(tài)下高速、精的設(shè)定掩膜和基板間的近接間隙。
搭載有掩膜更換機(jī)。*多可自動更換20張掩膜。
*多可搭載3臺片倉（Load port）。
詳情介紹：
光刻機(jī)介紹
曝光裝置 MA-1200 基板追大尺寸 200 x 200mm ?4″ ～ ?6″
光源 超高壓水銀燈 ：500W or 1kW
曝光裝置 MA-1400 基板追大尺寸400 x 400mm
光源 超高壓水銀燈 ：2kW or 3.5kW
LED,LN曝光裝置MA-4000 圓晶尺寸?2～4″或者?4～6″
光源 超高壓汞燈：500W 或 1kW
?200mm/?150 mm 對應(yīng)曝光裝置MA-4301M 材料SI 玻璃， 對齊精度自動對齊：+/- 1 μm（
峰值搜索）
?300mm對應(yīng)曝光裝置MA-5301ML 光源超高壓汞燈：3.5kW ?200mm規(guī)格也可對應(yīng)
マスクレス露光裝置MX-1201 曝光掃描速度43.94mm/s 有效曝光區(qū)域200 x 200 追大曝光量（※3）245/70/245+70
マスクレス露光裝置MX-1201E 曝光掃描速度22.5mm/s 有效曝光區(qū)域200 x 200 追大曝光量（※3）460/70135
マスクレス露光裝置MX-1205 曝光掃描速度9/4.5mm/s 有效曝光區(qū)域100 x 100 追大曝光量（※3）100/50
主要規(guī)格
| MA-5301ML | |
|---|---|
| Wafer尺寸 | ?300ｍｍ |
| 對位 | 非接觸預(yù)對位～自動對位 |
| 光源 | 超高壓水銀燈：3.5kW |
| 本體尺寸 | W 2450 × D 2400 × H 2300 mm |
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