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利用獨自的高速描畫「Point Array方式」技術直接描畫圖形的裝置。 主要特長 能夠用于研究開發、試作、小批量生產等的直描曝光。 能夠對應半導體、電子零件、優異PCB、高密度封裝件、MEMS、FPD等的曝光。 由于在光刻工藝中不需要掩膜，因而可以*大限度地降低開發成本和縮短市場供應時間。 此外,還可以根據客戶需求,提供相應的裝置構造。
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利用獨自的高速描畫「Point Array方式」技術直接描畫圖形的裝置。 主要特長 能夠用于研究開發、試作、小批量生產等的直描曝光。 能夠對應半導體、電子零件、優異PCB、高密度封裝件、MEMS、FPD等的曝光。 由于在光刻工藝中不需要掩膜，因而可以*大限度地降低開發成本和縮短市場供應時間。 此外,還可以根據客戶需求,提供相應的裝置構造。
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利用獨自的高速描畫「Point Array方式」技術直接描畫圖形的裝置。 主要特長 能夠用于研究開發、試作、小批量生產等的直描曝光。 能夠對應半導體、電子零件、優異PCB、高密度封裝件、MEMS、FPD等的曝光。 由于在光刻工藝中不需要掩膜，因而可以*大限度地降低開發成本和縮短市場供應時間。 此外,還可以根據客戶需求,提供相應的裝置構造。
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主要特長 直立配置掩膜臺/基板臺。不需補正由掩膜/掩膜臺/基板臺的自身重量而造成的彎曲變形,構造簡單，安定性高。 采用新型光學系統,使影響圖形轉印精度的傾斜角降低至過去的一半以下(與本公司裝置相比),可實現更高精度的圖形轉印。 完全分離本體與光源部。光源的熱量傳遞不到本體,改善了本體部的熱量分布水準。 為了防止因掩膜及玻璃基板的溫度差造成的伸縮變形,可選擇基板臺溫度控制系統及掩膜冷卻系統。
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主要特長 直立配置掩膜臺/基板臺。不需補正由掩膜/掩膜臺/基板臺的自身重量而造成的彎曲變形,構造簡單，安定性高。 采用新型光學系統,使影響圖形轉印精度的傾斜角降低至過去的一半以下(與本公司裝置相比),可實現更高精度的圖形轉印。 完全分離本體與光源部。光源的熱量傳遞不到本體,改善了本體部的熱量分布水準。 為了防止因掩膜及玻璃基板的溫度差造成的伸縮變形,可選擇基板臺溫度控制系統及掩膜冷卻系統。
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主要特長 直立配置掩膜臺/基板臺。不需補正由掩膜/掩膜臺/基板臺的自身重量而造成的彎曲變形,構造簡單，安定性高。 采用新型光學系統,使影響圖形轉印精度的傾斜角降低至過去的一半以下(與本公司裝置相比),可實現更高精度的圖形轉印。 完全分離本體與光源部。光源的熱量傳遞不到本體,改善了本體部的熱量分布水準。 為了防止因掩膜及玻璃基板的溫度差造成的伸縮變形,可選擇基板臺溫度控制系統及掩膜冷卻系統。(選購項) *大基板尺寸為1,200mm×1,400mm。通過獨自的光學系統實現了均勻的一次性曝光。 能夠裝載存放5張掩膜的掩膜存放庫
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主要特長 能夠進行節拍時間約20秒(標準規格機，對位容許值設定為0.5μm時。不含曝光時間。)的高速曝光處理。 利用直讀式間隙傳感器與獨自的控制系統,能夠高速度和高精度地設定掩膜與基板間的近接間隙 。 可配置嚴格控制處理部位溫度環境的溫控機房。為了防止因熱而引起的基板伸縮,還可選用基板臺溫度調控系統。 可選擇配置基板臺溫度控制系統及掩膜冷卻系統，以防止掩膜及玻璃基板因溫度差而引起的伸縮。(
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主要特長 能夠進行節拍時間約20秒(標準規格機，對位容許值設定為0.5μm時。不含曝光時間。)的高速曝光處理。 利用直讀式間隙傳感器與獨自的控制系統,能夠高速度和高精度地設定掩膜與基板間的近接間隙 。 可配置嚴格控制處理部位溫度環境的溫控機房。為了防止因熱而引起的基板伸縮,還可選用基板臺溫度調控系統。 可選擇配置基板臺溫度控制系統及掩膜冷卻系統，以防止掩膜及玻璃基板因溫度差而引起的伸縮。(
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主要特長 能夠進行節拍時間約20秒(標準規格機，對位容許值設定為0.5μm時。不含曝光時間。)的高速曝光處理。 利用直讀式間隙傳感器與獨自的控制系統,能夠高速度和高精度地設定掩膜與基板間的近接間隙 。 可配置嚴格控制處理部位溫度環境的溫控機房。為了防止因熱而引起的基板伸縮,還可選用基板臺溫度調控系統。 可選擇配置基板臺溫度控制系統及掩膜冷卻系統，以防止掩膜及玻璃基板因溫度差而引起的伸縮。(選購項) 能夠裝載存放5張掩膜的掩膜存放庫
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非常適用于實驗?研發之用途。 緊湊型設計(600×600mm)，可在桌面上安裝使用。 搭載UV LED爆光燈房標準（有效曝光范圍φ4″）。 接觸式曝光模式（可支持其他的曝光模式，為選購項）。 完全手動操作，價格公道合理。
