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OTSUKA大冢- 高分子相結構分析系統
OTSUKA大冢- 高分子相結構分析系統ELSZ-2000SOTSUKA大冢- 高分子相結構分析系統ELSZ-2000SOTSUKA大冢- 高分子相結構分析系統ELSZ-2000SOTSUKA大冢- 高分子相結構分析系統ELSZ-2000SOTSUKA大冢- 高分子相結構分析系統ELSZ-2000S
使用小角光散射法，能夠實時解析高分子和薄膜的結構的裝置。與使用X射線和中子線的裝置相比，可以進行更大的結構(μm級)的評價。
從使用偏振片的Hv散射測量可以對光學各向異性的評價、結晶性薄膜的球晶直徑的解析、Vv散射測量進行聚合物混合的相關長度的解析。
特長：
散射角度0.2~45°的測量可*短100msec測量。
評價亞微米~數100μm的結構。
也可以用專用的溶液池測量溶液樣品。
在軟件上輕松切換Hv散射和Vv散射測量。
臺式實驗室。
測量項目:
高的分子材料估價。
-結晶膜。
·結晶化溫度、球晶徑、結晶化速度。
·配光、光學各向異性。
-聚合物混合。
·相分離過程和相關長度(構造的大小)。
→高分子凝膠。
·三維架橋構造的大小。
-樹脂。
·熱硬化樹脂和UV硬化樹脂的硬化速度。
顆粒物性估價。
·粒子直徑、凝集速度。
測量范圍(理論值)。
球晶直徑1.3~270μm。
粒子直徑0.1~100μm。
相關長度0.1~100μm.
| 型式 | 高分子相構造解析システム |
| 測定原理 | 小角光散亂法 |
| 光源 | 半導體レーザ （波長785nm） |
| 検出器 | CMOSカメラ |
| 測定散亂角度 | 0.2°～45° |
| 取得像 | Hv光散亂像、Vv光散亂像 |
| 測定スポット | 約1mm |
| サンプルサイズ | *大10cm角 |
| ダイナミックレンジ | 120db以上 （HDR機能使用） |
| 測定時間 | 100ms～ |
| 解析項目 | 球晶徑、相関長、粒子徑など |
【手順】
1．サンプルステージにサンプルをセットします
2．検光子を測定したい対象に合わせて調整します。
3．サンプルからの散亂パターンがカメラに記録されます。
クロスニコル(偏光子と検光子が直交)で測定をします。
散亂體に光學異方性（複屈折）がある場合、散亂パターンが出現し、高分子の高次構造體のサイズ、秩序性、配向の評価が出來ます。
（測定例）結晶性フィルムの球晶徑の解析
R = 4.09 / qmax
(R：球晶半徑 、qmax：散亂光強度が*大になる散亂ベクトル )
散亂ベクトル q = 4π n/ λ sin( θ / 2 )
(λ：媒體中での波長、n：サンプル屈折率、θ：散亂角)
パラレルニコル(偏光子と検光子が平行)で測定します。
?ポリマーブレンドの相分離過程の評価
?海島構造の大きさ(相関長)
?粒子徑の評価
（測定例） 相分離構造の相関長の解析
Debye-Bueche Plot
I(q) = A / (1+ξ2q2)2
(A：定數、ξ：相関長、q：散亂ベクトル)
ξ = √(a / b)
(ξ：相関長 、a：傾き、b：切片 )
