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總代GD-Profiler 2?輝光放電光譜儀HORIBA堀場
用輝光放電光譜儀去發(fā)現(xiàn)一個嶄新的信息世界
GD-Profiler 2? 可以快速、同時分析所有感興趣的元素，包括氣體元素N、O、H和Cl，是薄膜和厚膜表征和工藝研究的理想工具。
GD-Profiler 2? 配備的射頻源可在脈沖模式下對易碎樣品進行測試，廣泛應用于高校以及工業(yè)研究實驗室，其應用范圍有腐蝕研究、PVD 涂層工藝控制、PV 薄膜開發(fā)以及LED 質量控制等。
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射頻發(fā)生器是 E 類標準，對穩(wěn)定性和濺射坑形狀都進行了優(yōu)化以滿足實時表面分析。
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射頻源可以分析傳統(tǒng)和非傳統(tǒng)鍍層和材料，對于易碎樣品，還可以使用脈沖式同步采集優(yōu)化測試。
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從 110nm到 800nm 同步全光譜覆蓋，包括分析 H、O、C、N 和 Cl 的深紫外通道。
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HORIBA 研發(fā)的離子刻蝕型全息光柵具有高的光通量和光譜分辨率，光學效率和靈敏度都表現(xiàn)優(yōu)良。
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HDD 探測器兼具檢測速度和靈敏度。
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內置的微分干涉儀DIP可實時測量濺射坑深度和剝蝕速率。
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寬敞簡潔的大樣品倉易于裝卸樣品，操作簡單。
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QUANTUM? 軟件配置了Tabler 報告編寫工具。
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**激光中心定位裝置（**號：Fr0107986/國際**種類：G01N 21/67）可定位樣品測試位置。
HORIBA 的輝光放電光譜儀可以選配單色儀，實現(xiàn)n+1元素通道的同時也提高了設備的靈活性。
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輝光源結合超快速、高分辨的同步光學器件，可對導體、非導體和復合材料進行快速元素深度剖析。
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適用于薄膜和厚膜——從納米到數(shù)百微米，且具有納米級深度分辨率。
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典型應用領域包括光伏、冶金、LED 制造、腐蝕研究、有機和微電子、材料研發(fā)、沉積工藝優(yōu)化、PVD、CVD、等離子涂層、汽車、鋰電池等。
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不需要超高真空。
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使用高動態(tài)探測器可以測量所有感興趣的元素（包括 H、D、O、Li、Na、C、N 等）。
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可選附件單色儀配備的也是高動態(tài)探測器，可在image模式下做全譜掃描，極大的增加了設備的靈活性。
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脈沖式射頻源，可選擇在常規(guī)射頻模式和脈沖式射頻模式下工作，且可全自動匹配。
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輝光源采用差速雙泵真空系統(tǒng)，可為SEM制備樣品。
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內置等離子清洗功能。
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超快速濺射模式UFS可快速分析聚合物和有機材料。
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內置的微分干涉儀DIP，可直接在線測定深度。
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用于異形樣品測試的各種銅陽極和附件。
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Windows 10 軟件 – 為遠程安裝提供多個副本
